Знания
0
Экспериментальные данные по Ge, Si и GaAs: τ>10-4 c. Излучательная рекомбинация не играет в них большой роли. Присутствие излучательной рекомбинации...
0
Излучательная или фотонная рекомбинация в полупроводниках с экстремумами в запрещенной зоне и зоне проводимости при одном значении квазиволнового вектора (прямозонные...
0
Локальные поверхностные уровни – плотность их зависит от состояния поверхности (границы раздела с диэлектриком). Эффективность поверхностной рекомбинации определяется скоростью поверхностной...
0
2 классификации: Механизмы перехода электрона из зоны проводимости в валентную зону Механизмы передачи энергии рекомбинирующих частиц Механизмы перехода электрона из...