Экспериментальные данные по Ge, Si и GaAs: τ>10-4 c.
Излучательная рекомбинация не играет в них большой роли.
Присутствие излучательной рекомбинации в любом самом чистом полупроводнике принципиально ограничивает время жизни в этом полупроводнике.
5.6. Прямая рекомбинация Оже
Межзонная ударная рекомбинация – прямая рекомбинация Оже –
— процесс, обратный ударной ионизации.
Ударная ионизация имеет место не только в сильных полях. Даже в условиях теплового равновесия имеется некоторое количество свободных носителей заряда с кинетической энергией, достаточной для ударной ионизации.
Принцип детального равновесия требует, чтобы рекомбинация Оже уравновешивалась процессом генерации быстрых носителей заряда, способных вызвать ударную ионизацию.
Рекомбинация Оже — 2 параллельных различных процесса:
— столкновения между электронами,
— столкновения между дырками.
Загрузка...
