Способы создания избыточных носителей заряда в полупроводниках:
— с помощью оптического излучения;
— путем инжекции из электрического контакта;
— другие.
Неравномерное распределение избыточных носителей в пространстве.
Анализ физических процессов в полупроводниках и в полупроводниковых приборах включает и выяснение пространственного распределения избыточных носителей заряда.
Это распределение получается решением системы уравнений, описывающих поведение электронов и дырок в полупроводниках:
уравнения для плотностей токов:
(6.1)
(6.2)
(см., соответственно (4.20) и (4.21)
в разделе 4.5. «Дрейф и диффузия носителей заряда»);
уравнения непрерывности
, (6.4)
. (6.5)
(см., соответственно (5.12) и (5.13)
в разделе 5.3. «Время жизни»);
уравнение Пуассона
(6.5)
(см., в т.ч. Лекцию 9, раздел 6.2. «Квазинейтральность»),
где φ – потенциал,
— объемный заряд
(см., также (3.15) в разделе 3.3. «Уравнение электронейтральности»).
Для решения системы (6.1) — (6.5) необходимо задать начальные условия и граничные условия на поверхности полупроводника и на контактах.
В общем случае (6.1) — (6.5) – система нелинейных уравнений, т.к.
— функции координат.
Будем решать систему (6.1) — (6.5), предполагая, что эти величины постоянны.
6. 2. Еще раз о квазинейтральности
(краткое напоминание материала из Лекции 9)
В условиях постоянного внешнего воздействия устанавливается равновесие процессов рекомбинации и генерации:
Концентрации электронов n и дырок p в этих условиях называются неравновесными, а величины
избыточные
концентрации
электронов и дырок, соответственно;
(n0 и р0 – концентрации при термодинамическом равновесии).
При условии электронейтральности во многих случаях(но не всегда).
Уравнение электронейтральности (3.18) для однородно легированного полупроводника n—типа (n0 » р0) может быть записано для плотности объемного заряда в виде
ρ=e(-). (6.6)
Если =f(x), то при ионизации примеси в полупроводнике возникает градиент концентрации электронов и вызванный им диффузионный ток.
Известно, что при термодинамическом равновесии полный ток равен 0:
+ =0.