39. Модель идеализированного биполярного транзистора Эберса и Молла. Параметры и их взаимосвязь.
40. Выходные характеристики идеализированного биполярного транзистора при включении по схеме ОБ.
41. Выходные характеристики идеализированного биполярного транзистора при включении по схеме ОЭ.
42. Расчет коэффициента переноса в биполярном транзисторе (бездрейфовое приближение). Время пролета через базу.
43. Расчет тепловых токов эмиттерного перехода и эффективности эмиттера в биполярном транзисторе (бездрейфовое приближение).
44. Особенности вырожденного эмиттера. Расчет эффективности эмиттера с учетом его вырождения.
45. Коэффициент усиления базового тока в биполярном транзисторе. Его зависимость от параметров структуры (размеров и степени легирования областей базы, эмиттера — качественно).
46. Частотные свойства коэффициента передачи эмиттерного тока в биполярном транзисторе.
47. Импульсные свойства коэффициента передачи эмиттерного тока в биполярном транзисторе.
48. Частотные и импульсные свойства коэффициента усиления базового тока в биполярном транзисторе.
49. Диффузионные емкости в биполярном транзисторе.
50. Сопротивления базы и тела коллектора в биполярном транзисторе. Параметры структуры, определяющие эти сопротивления.
51. Эффект Эрли в биполярном транзисторе. Сопротивление коллекторного перехода г с в нормальном режиме работы и его влияние на выходные В АХ. Низкочастотная эквивалентная схема.
52. Эффект Эрли в биполярном транзисторе при включении по схеме ОЭ. Сопротивление коллекторного перехода в нормальном режиме работы г с и его влияние на выходные ВАХ. Низкочастотная эквивалентная схема. Напряжение Эрли.
43. Эффект Эрли в биполярном транзисторе. Внутренняя обратная связь.
54. Зависимости коэффициентов ос^и (3 дг от тока эмиттера в биполярном транзисторе (качественно).
55. Эффект оттеснения эмиттерного тока в биполярном транзисторе.
56. Эквивалентная схема реального биполярного транзистора для большого сигнала.
57. Эквивалентная схема реального биполярного транзистора для малого сигнала (включение ОБ).
58. Эквивалентная схема реального биполярного транзистора для малого сигнала (включение ОЭ).
59. Формализованная эквивалентная схема биполярного транзистора и ее параметры.
60. Верхняя граничная частота биполярного транзистора в схемах ОБ и ОЭ. Предельная частота.
Важнейшие вопросы
1. Выражения для токов дрейфа, диффузии.
2. Формулы для параметров ступенчатого р-п перехода.
3. Выражения для барьерной, диффузионной емкостей.
4. Граничные условия для низкого и высокого уровней инжекции.
5. Энергетические диаграммы для всех приборов.
6. Уравнения непрерывности — для электронов, дырок, биполярные.
7. Распределения носителей в базе диода, транзистора для всех режимов.
8. ВАХ всех идеализированных приборов (формулы, рисунки).
9. Дифференциальное сопротивление р-п перехода.
10. Формулы для коэффициентов инжекции в п/п диоде, транзисторе.
11. Структуры всех приборов.
12. Эквивалентные схемы всех приборов.
13. Коэффициенты передачи тока в биполярном транзисторе.
14. Время пролета через базу в п/п диоде, транзисторе.
15. Частотные и импульсные характеристики а, Ц в биполярном транзисторе.
16. Энергетические диаграммы МДП — структуры в режимах обогащения, обеднения, инверсии.
17. Пороговое напряжение МДП — транзистора.
Загрузка...
