Классификация микроэлектронных изделий по технологии изготовления,

П/п инт мксх-мы – все элементы и межэлементные соединения выполнены на поверхности и в объеме п/п пластины.

Гибрид инт мксх-ма – это инт сх-ма, выполняющая заданную ф-цию, содержит бескорпусной пленочный кристалл п/п-вой инт мксх-мы, пленочные пассивные элементы и навесные компоненты.

Многокристальная гибридная инт-ая мксх-ма содержит несколько бескорпусных кристаллов.

Si — основной п/п-ый мат-л (природный), SiO2 получают на пов-сти кремния при окислении, используют в качестве маскирующего при локальном лигировании кремния примесями, для изоляции эл-тов, в качестве подзатворного д/э, для защиты пов-сти кристалла от влияния окружающей среды, у Si достаточно большая ширина запрещенной зоны приводит к малым обратным токам pn-переходов, что позволяет работать при повышенных тем-рах.

Т.к. подвижность электронов(n) в 2-2,5 раза выше, чем дырок(p), npn-тр-р исп-ся как основной, а pnp-тр-р как нагрузочный.

Делают на n-МОП, а p-МОП практически нет.

GaAs отличается большей подвижностью эл-нов (в 10 раз) – высокочастотная, сверхвысокочастотная техника, дорогой мат-ал.

InP исп-ся в создании источников оптич-ого излучения и быстродействующих фотоприемников.

По схемотехнической реализации в зависимости от способа хранения инф-ции различают:

-статические ИС, в которых инф-цию опр-ет уровень сигнала, который хранится сколь угодно долго при питании, они делятся на: РТЛ(простая, отдельно практически не исп-ся),ДТЛ,ТТЛ,ЭСЛ(наиб быстродействующая),n-МОП,КМОП.

-динамические ИС состоят из эл-та, накапливающего заряд (тр-р,конденсатор или диод),хранение инф-ции в течение некоторого вр, которое опр-ся параметрами накапливающего эл-та.

По функциональному назначению

-аналоговые ИС предназнач. для обработки сигналов, изменяющихся по закону непрерывной ф-ции (источники — тока и напр-ия- опорники, усилители – ОУ, ДУ, широкополосные)

-дискретные (цифровые) ИС – предназначенные для обработки сигналов, изменяющихся по закону дискретной ф-ции

-смешанные – в одном кристалле создают аналоговые и цифровые схемы

Цифровые: комбинационные – функциональные блоки, логич состояние входов которых зависит только от комбинации логич сигналов на входах в данный момент времени

схемы памяти – вып-ся на бистабильных ячейках и осуществляют ф-ции записи, хранения, считывания инф-ции в течение требуемого времени

последовательностные – логич состояние выходов опр-ся последовательностью входных сигналов (счетчики, регистры, генераторы чисел)

По размеру

К – степень интеграции, округляется до ближайшего целого

N – количество эл-тов на кристалле

K≈ LgN

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector
x