П/п инт мксх-мы – все элементы и межэлементные соединения выполнены на поверхности и в объеме п/п пластины.
Гибрид инт мксх-ма – это инт сх-ма, выполняющая заданную ф-цию, содержит бескорпусной пленочный кристалл п/п-вой инт мксх-мы, пленочные пассивные элементы и навесные компоненты.
Многокристальная гибридная инт-ая мксх-ма содержит несколько бескорпусных кристаллов.
Si — основной п/п-ый мат-л (природный), SiO2 получают на пов-сти кремния при окислении, используют в качестве маскирующего при локальном лигировании кремния примесями, для изоляции эл-тов, в качестве подзатворного д/э, для защиты пов-сти кристалла от влияния окружающей среды, у Si достаточно большая ширина запрещенной зоны приводит к малым обратным токам p—n-переходов, что позволяет работать при повышенных тем-рах.
Т.к. подвижность электронов(n) в 2-2,5 раза выше, чем дырок(p), npn-тр-р исп-ся как основной, а pnp-тр-р как нагрузочный.
Делают на n-МОП, а p-МОП практически нет.
GaAs отличается большей подвижностью эл-нов (в 10 раз) – высокочастотная, сверхвысокочастотная техника, дорогой мат-ал.
InP исп-ся в создании источников оптич-ого излучения и быстродействующих фотоприемников.
По схемотехнической реализации в зависимости от способа хранения инф-ции различают:
-статические ИС, в которых инф-цию опр-ет уровень сигнала, который хранится сколь угодно долго при питании, они делятся на: РТЛ(простая, отдельно практически не исп-ся),ДТЛ,ТТЛ,ЭСЛ(наиб быстродействующая),n-МОП,КМОП.
-динамические ИС состоят из эл-та, накапливающего заряд (тр-р,конденсатор или диод),хранение инф-ции в течение некоторого вр, которое опр-ся параметрами накапливающего эл-та.
По функциональному назначению
-аналоговые ИС предназнач. для обработки сигналов, изменяющихся по закону непрерывной ф-ции (источники — тока и напр-ия- опорники, усилители – ОУ, ДУ, широкополосные)
-дискретные (цифровые) ИС – предназначенные для обработки сигналов, изменяющихся по закону дискретной ф-ции
-смешанные – в одном кристалле создают аналоговые и цифровые схемы
Цифровые: комбинационные – функциональные блоки, логич состояние входов которых зависит только от комбинации логич сигналов на входах в данный момент времени
схемы памяти – вып-ся на бистабильных ячейках и осуществляют ф-ции записи, хранения, считывания инф-ции в течение требуемого времени
последовательностные – логич состояние выходов опр-ся последовательностью входных сигналов (счетчики, регистры, генераторы чисел)
По размеру
К – степень интеграции, округляется до ближайшего целого
N – количество эл-тов на кристалле
K≈ LgN