Создание МДП транзисторов по самосовмещенной технологии

Во всех современных КМДП и БиКМОП техпроцессах используется принцип самосовмещения при формировании транзисторов, т.е. поликремниевые затворы используется в качестве масок при операциях создания активных областей. На рисунке 1 представлены топология и поперечное сечение n-канального МДП транзистора. Во всех областях, где в дальнейшем не предполагается создание элементов, формируется защитный толстый окисел (thick—field oxide), толстый окисел изолирует элементы друг от друга, а также служит для предотвращения эффекта формирования паразитных МДП структур. Защитная нитридная маска при LOCOS-окислении определяет область, где в дальнейшем будут формироваться элементы (moat region). Область формирования МДП структур называется областью активной диффузии (active diffusion) или тонкого окисла (thin gate oxide). После удаление защитной нитридной маски происходит формирование тонкого подзатворного окисла. После того, как тонкий окисел сформирован, происходит создание поликремниевого затвора (Poly), этот процесс состоит из операций осаждения поликремния из газовой фазы и дальнейшего его травления в местах, незащищенных маской. Следующей операцией является ионная имплантация примеси n-типа, при этом формируются области стока/истока n-типа (контактов к N-карману), N—source/drain (NSD), маской при операции ионной имплантации являются поликремниевый затвор и толстый окисел, поэтому такой способ создания МДП-транзистора получил название “самосовмещенный”. Области p-типа, которые создаются на следующем этапе, закрываются фоторезистом, через который имплантат не проникает. Аналогично созданию областей NSD, формируются области проводимости p-типа, P—source/drain (PSD) — контакты к подложке, активные области p-канального транзистора. Заключительной операцией формирования транзисторных структур является отжиг полученных областей, для активации имплантированной примеси.