Диффузия.

Диффузия как технологический процесс при изготовлении ИС представляет собой внедрение атомов примеси в объём полупроводника. Диффузия проводится при температуре от 800 до 1400 градусов Цельсия. Распределение примеси в полупроводнике является функцией концентрации примеси на поверхности и времени термической обработки.

Диффузия проводится в два этапа: pre—deposition или загонка (соответствует механизму диффузии с бесконечным источником примеси) и drive—in разгонка (соответствует диффузии с конечным источником примеси). Задача загонки – поместить на поверхность пластины как можно большее количество атомов примеси. Задача разгонки – распределить загнанную примесь вглубь полупроводника. При этом, однако, распределение происходит не только в вертикальном направлении, но и в горизонтальном, что приводит к тому, что получаемая в итоге область диффузии несколько больше по площади, чем маска для её проведения.

Максимальная концентрация примеси, при которой полупроводник еще сохраняет свойства полупроводника, составляет примерно 2*10²¹ атомов\см³.

Расстояние от поверхности pn-перехода до уровня, где тип проводника меняется на противоположный, обычно называется глубиной перехода и может составлять от 0.1 микрона для pre—deposition diffusion до 10 микрон для разогнанной диффузии.